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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYS 72V32200GR |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PC100 Registered SDRAM-Module(PC100 用于寄存的 SDRAM 模塊) |
| 中文描述： | 注冊(cè)PC100的內(nèi)存模塊（PC100的用于寄存的內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HYS 72V32200GR |
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HYS 72Vx2xxGR
PC100 Registered SDRAM-Modules
Data Book
10
3.00
AC Characteristics (SDRAM Device Specification)
4), 5)
T
A
= 0 to 70
°
C
1)
;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-8
PC100-222
-8A
PC100-322
min.
max.
min.
max.
Clock and Access times
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
10
10
–
–
10
15
–
–
ns
ns
–
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
f
CK
–
–
100
100
–
–
100
66
MHz
MHz
–
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
–
6
6
–
–
6
6
ns
ns
–
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
3
–
3
–
ns
–
Clock Low Pulse Width
3
–
3
–
ns
–
Transition Time
0.5
10
0.5
10
ns
–
Setup and Hold Parameters
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
SB
t
PDE
t
RSC
t
T
2
–
2
–
ns
–
Input Hold Time
1
–
1
–
ns
–
Power Down Mode Entry Time
–
1
–
1
CLK
–
Power Down Mode Exit Setup Time
1
–
1
–
CLK
–
Mode Register Set-up Time
2
–
2
–
CLK
–
Transition Time
0.5
10
0.5
10
ns
–
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
–
20
–
ns
–
Row Precharge Time
20
–
20
–
ns
–
Row Active Time
45
100k
60
100k
ns
–
Row Cycle Time
70
–
70
–
ns
–
Activate (a) to Activate (b) Command
Period
2
–
2
–
CLK
–
CAS(a) to CAS(b) Command Period
t
CCD
1
–
1
–
CLK
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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