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參數資料
| 型號： | HYS 64V16300GU |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3 V 16M × 64-Bit 1 Bank SDRAM Module(3.3 V 16M × 64-位 1列 同步動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 3.3伏1,600 × 64位一銀行內存模塊（3.3伏1,600 × 64 -位一列同步動態(tài)內存模塊） |
| 文件頁數： | 7/17頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | HYS 64V16300GU |
HYS 64/72V16300/32220GU
SDRAM-Modules
INFINEON Technologies
7
2.00
DC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
V
DD
+ 0.3
0.8
Input High Voltage
V
I
H
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
2.0
V
Input Low Voltage
Output High Voltage (
I
OUT
= – 4.0 mA)
Output Low Voltage (
I
OUT
= 4.0 mA)
Input Leakage Current, any input
(0 V <
V
IN
< 3.6 V, all other inputs = 0 V)
Output Leakage Current
(DQ is disabled, 0 V <
V
OUT
<
V
DD
)
–0.5
V
2.4
–
V
–
0.4
V
μ
A
–40
40
I
O(L)
–40
40
μ
A
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
max.
16M
×
64
65
max.
16M
×
72
72
max.
32M
×
64
105
max.
32M
×
72
144
Input Capacitance
(
A0 to A11, BA0, BA1, RAS, CAS, WE)
C
I1
pF
Input Capacitance (CS0 - CS3)
C
CS
C
CLK
C
CKE
C
I4
C
IO
32
40
35
43
pF
Input Capacitance (CLK0 - CLK3)
38
40
42
45
pF
Input Capacitance (CKE0, CKE1)
65
72
65
72
pF
Input Capacitance (DQMB0 - DQMB7)
13
13
20
20
pF
Input/Output Capacitance
(DQ0 - DQ63, CB0 - CB7)
10
10
17
17
pF
Input Capacitance (SCL, SA0-2)
C
SC
C
SD
8
8
8
8
pF
Input/Output Capacitance
8
8
8
8
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS 72V16300GU | 3.3 V 16M × 72-Bit 1 Bank SDRAM Module(3.3 V 16M × 72-位 1列 同步動態(tài)RAM模塊) |
| HYS 64V32220GU | 3.3 V 32M × 64-Bit 1 Bank SDRAM Module(3.3 V 32M × 64-位 1列 同步動態(tài)RAM模塊) |
| HYS 72V32220GU | 3.3 V 32M × 72-Bit 1 Bank SDRAM Module(3.3 V 32M × 72-位 1列 同步動態(tài)RAM模塊) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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