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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYR186440G-845 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs) |
| 中文描述： | 直接的RDRAM RIMM的模塊（帶288兆R(shí)DRAMs） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 385K |
| 代理商： | HYR186440G-845 |
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HYR16xx40G / HYR18xx40G
Rambus RIMM Modules
INFINEON Technologies
11
7.01
(max Z= and min Z0 are obtained from the loaded (high impedance) impedance coupons of all RSL layers on the
modules)
AC Electrical Specifications for RIMM Modules
Symbol
RIMM Module Capacity:
No. of 288 Mbit RDRAMs:
6
2
1
4
2
8
5
1
Unit
Parameter and Conditions for -800, 711& -600
RIMM Modules
max.
max.
max.
max.
T
PD
Propagation Delay, all RSL signals -800, -711
1.28
1.28
1.56
2.06
ns
Propagation Delay, all RSL signals -600
Attenuation Limit -800, -711
1.28
12
1.28
12
1.60
16
2.10
25
ns
%
V
A
/
V
IN
Attenuation Limit -600
10.5
10.5
12.5
18.5
%
V
XF
/
V
IN
Forward crosstalk coefficient (300 ps input rise
time @ 20% - 80%) -800, -711, -600
2
2
4
8
%
V
XB
/
V
IN
Backward crosstalk coefficient (300 ps input rise
time @ 20%-80%) -800, -711, -600
1.5
1.5
2.0
2.5
%
R
DC
DC Resistance Limit -800, -711, -600
0.6
0.6
0.8
1.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYR1612840G-845 | Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs) |
| HYR186420G-745 | Direct RDRAM RIMM Modules (with 144 Mbit RDRAMs) |
| HYR1612820G-653 | Direct RDRAM RIMM Modules (with 144 Mbit RDRAMs) |
| HYR1612820G-745 | CONN HEADER .100 DUAL STR 72POS |
| HYR1612820G-840 | Direct RDRAM RIMM Modules (with 144 Mbit RDRAMs) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYR2001-1020 | 制造商:Aleph America 功能描述:Switch Reed N.O. 0.5A 200VDC 10VA 100mOhm |
| HYR2001-1520 | 制造商:Aleph America 功能描述:Switch Reed N.O. 0.5A 200VDC 10VA 100mOhm |
| HYR2002-1520 | 制造商:Aleph America Corporation 功能描述: |
| HYR2002CL2 | 制造商:Aleph America Corporation 功能描述: |
| HYR2003-1-40/45AT | 制造商:Aleph America Corporation 功能描述: |
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