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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM72V1005GU-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 1M X 72 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | HYM72V1005GU-50 |
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Semiconductor Group
1
3.3V 1M
×
64-Bit EDO-DRAM Module
3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module
168pin unbuffered DIMM Module
with serial presence detect
HYM64V1005GU-50/-60
HYM72V1005GU-50/-60
168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module
for PC main memory applications
1 bank 1M x 64, 1M x 72 organisation
Optimized for byte-write non-parity or ECC applications
Extended Data Out (EDO)
Performance:
Single +3.3 V
±
0.3 V Power Supply
CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clocks are fully LV-TTL compatible
Serial presence detects (optional)
Utilizes four 1M
×
16 -DRAMs in TSOPII-50/44
and two 1M x 4 - DRAMs in SOJ 26/20 packages
1024 refresh cycles / 16 ms with 10 / 10 addressing (Row / Column)
Gold contact pad
Card Size: 133,35mm x 25,40 mm x 5,30 mm
This DRAM product module family is intended to be fully pin and architecture compatible
with the 168pin unbuffered SDRAM DIMM module family
-50
-60
tRAC
RAS Access Time
50 ns
60 ns
tCAC
CAS Access Time
13 ns
15 ns
tAA
Access Time from Address
25 ns
30 ns
tRC
Cycle Time
84 ns
104 ns
tHPC
EDO Mode Cycle Time
20 ns
25 ns
2.97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYM64V1005GU-50 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM64V1005GU-60 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| HYM72V1005GU-60 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYM72V12C736BLS4-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|128MX72|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
| HYM72V12C736BLS4-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|128MX72|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
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