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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM71V32655AT8-8 |
| 英文描述： | x64 SDRAM Module |
| 中文描述： | X64的內(nèi)存模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/14頁(yè) |
| 文件大小： | 355K |
| 代理商： | HYM71V32655AT8-8 |
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PC133 SDRAM Unbuffered DIMM
Rev. 0.1/Nov. 01
12
HYM71V32635BT8 Series
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-K
-H
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
tRC
60
-
65
-
ns
Auto Refresh
tRRC
60
-
65
-
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
15
-
20
-
ns
RAS Active Time
tRAS
45
100K
45
100K
ns
RAS Precharge Time
tRP
15
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
15
-
15
-
ns
CAS to CAS Delay
tCCD
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
tWTL
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
2
-
CLK
Data-In to Active Command
tDAL
4
-
5
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
tMRD
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
tPDE
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
tSRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM71V32655AT8M | 32Mx64|3.3V|P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
| HYM71V32655AT8-P | x64 SDRAM Module |
| HYM71V32655AT8-S | x64 SDRAM Module |
| HYM71V32655BT8 | 32Mx64|3.3V|8/P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
| HYM71V32655HCT8 | 32Mx64|3.3V|P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM71V32655AT8M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx64|3.3V|P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
| HYM71V32655AT8-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM71V32655AT8-S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM71V32655BT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx64|3.3V|8/P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
| HYM71V32655HCT8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx64|3.3V|P/S|x16|SDR SDRAM - Unbuffered DIMM 256MB |
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