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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYM4V33100BTWG-75 |
| 英文描述： | x32 SDRAM Module |
| 中文描述： | X32號(hào)，內(nèi)存模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | HYM4V33100BTWG-75 |
PC133 SDRAM AIMM
Rev. 0.1/Apr.01
8
HYM4V33100BTWG Series
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
S y m b o l
-75
Unit
Note
Min
M a x
R A S Cycle Time
Operation
tRC
6 5
-
n s
Auto Refresh
t R R C
6 5
-
n s
R A S to C A S Delay
t R C D
2 0
-
n s
R A S Active Time
tRAS
4 5
1 0 0 K
n s
R A S Precharge Time
t R P
2 0
-
n s
R A S to R A S Bank Active Delay
t R R D
1 5
-
n s
C A S to C A S Delay
t C C D
1
-
C L K
Write Command to Data-In Delay
t W T L
0
-
C L K
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
C L K
Data-In to Active Command
tDAL
5
-
C L K
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
C L K
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
C L K
M R S t o N e w C o m m a n d
t M R D
2
-
C L K
Precharge to Data
Output Hi-Z
C A S Latency = 3
t P R O Z 3
3
-
C L K
C A S Latency = 2
t P R O Z 2
2
-
C L K
Power Down Exit Time
t P D E
1
-
C L K
Self Refresh Exit Time
t S R E
1
-
C L K
1
Refresh Time
tREF
-
64
m s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM4V33100DTYG-75 | x32 SDRAM Module |
| HYM540100LM-50 | x40 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM540100M-70 | x40 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM540100MG-50 | x40 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM540100MG-60 | x40 Fast Page Mode DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM641005GS-50 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM641005GS-60 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HYM641010GS-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641010GS-60- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM641010GS-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 64-Bit Dynamic RAM Module |
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