參數(shù)資料
型號(hào)： HYM368025GS-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 8M x 36-Bit EDO - DRAM Module
中文描述： 8M X 36 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72
封裝： SIMM-72
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 104K
代理商： HYM368025GS-60
Semiconductor Group
1
8M x 36-Bit EDO - DRAM Module
HYM 368025S/GS-50/-60
SIMM modules with 8 388 608 words by 36-bit organization in two banks
for PC main memory applications
Fast access and cycle time
50 ns access time
84 ns cycle time (-50 version)
60 ns access time
104 ns cycle time (-60 version)
Hyper Page Mode (EDO) capability
20 ns cycle time (-50 version)
25 ns cycle time (-60 version)
Single + 5 V (
±
10 %) supply
Low power dissipation
max. 6820 mW active (-50 version)
max. 6160 mW active (-60 version)
CMOS – 132 mW standby
TTL
–264 mW standby
CAS-before-RAS refresh
RAS-only-refresh
Hidden-refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clocks fully TTL compatible
72 pin Single in-Line Memory Module (L-SIM-72-14) with 31.75 mm height
Utilizes sixteen 4Mx4-EDO-DRAMs and eight 4M x 1 EDO-DRAMs
in 300 mil wide SOJ packages
2048 refresh cycles / 32 ms
Optimized for use in byte-write parity applications
Tin-Lead contact pads (S- version)
Gold contact pads (GS - version)
4.97
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PDF描述
HYS 64V64220GU 3.3 V 64M 64-Bit SDRAM Modules(3.3 V 64M 64/72-Bit 2 個(gè)存儲(chǔ)體的 SDRAM 模塊)
HYS 72V64220GU 3.3 V 64M 72-Bit SDRAM Modules(3.3 V 64M 64/72-Bit 2 個(gè)存儲(chǔ)體的 SDRAM 模塊)
HZ16-1 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
HZ22-1 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
HZ22-2 Tactile Switch; Operating Force Max:100gf; Circuitry:SPST-NO; Switch Operation:(On)-Off; Actuator Style:Flat Plunger; Contact Current Max:50mA; Switch Terminals:Through Hole; Mounting Type:PCB
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參數(shù)描述
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