參數資料
型號： HYE25L256160AF-75
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD
中文描述： 片256Mbit移動- RAM的
文件頁數： 53/55頁
文件大?。?/td> 1053K
代理商： HYE25L256160AF-75
Data Sheet
53
V1.1, 2003-04-16
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Figure 37
Deep Power Down Exit
Note:The deep power down mode is exited by asserting CKE high. After the exit, the following sequence is needed
to enter a new command:
1. Maintain NOP input conditions for a minimum of 200
μ
s
2. Issue precharge commands for all banks of the device
3. Issue eight or more autorefresh commands
4. Issue a mode register set command to initialize the mode register
5. Issue an extended mode register set command to initialize the extende mode register
CLK
CK E
CS
RAS
CAS
WE
tRP
All banks
precharge
200
s
Auto
refresh
Deep Power Down
exit
Auto
refresh
tRC
Mode
Register
Set
Extended
Mode
Register
Set
New
Command
Accepted
Here
相關PDF資料
PDF描述
HYE25L256160AC-7.5 BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYM321000GS-60 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module
HYM321000S-60 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module
HYM321000S 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module
HYM321000S-50 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module
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參數描述
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HYESD1025QG 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:2 Channel Low Capacitance ESD Protection DIode Array
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