參數(shù)資料
型號： HYB514175BJ-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 256k x 16-Bit EDO-DRAM
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
文件頁數(shù)： 20/22頁
文件大小： 177K
代理商： HYB514175BJ-50
HYB 514175BJ/BJL-50/-55/-60
256k
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
20
1998-10-01
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
SPT03054
"H" or "L"
WRP
Column
Row
Address
(Output)
(Input)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IN
V
V
IL
WE
IL
V
IH
V
V
IL
Valid Data
t
DS
t
WCS
t
DH
WP
t
WCH
t
t
ASR
V
LCAS
UCAS
IH
V
t
IL
IH
V
RAS
V
IL
IH
V
RAS
RAD
ASC
RAH
t
t
t
RCD
t
t
CAH
t
RSH
t
t
RC
RP
t
Row
Hi Z
t
WRH
RC
t
RAS
CHR
t
t
ASR
t
CRP
t
RP
t
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PDF描述
HYB 514400BJ-50 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
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