參數(shù)資料
型號: HYB5118165BSJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
中文描述: 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
文件頁數(shù): 21/26頁
文件大?。?/td> 269K
代理商: HYB5118165BSJ-60
Semiconductor Group
21
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Cycle
t
RP
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
CHR
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
RPC
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
UCAS
LCAS
VOH
VOL
WL10
相關PDF資料
PDF描述
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HYB5118165BST-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
HYB5116165BJ-50 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
HYB5116165BJ-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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