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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5118165BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42 |
| 文件頁數(shù)： | 4/26頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BJ-50 |
Semiconductor Group
4
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Block Diagram for HYB 5116165BSJ
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(8)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (12)
Address
Buffers(12)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
4096x256x16
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
UCAS
LCAS
.
4096
256
x16
.
RAS
8
12
16
I/O1
I
/O2
OE
12
12
16
16
8
I
/O16
Voltage Down
Generator
VCC
VCC (internal)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5118165BSJBST-50- | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BSJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB514256BJ-50 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-60 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB514256BJ-70 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BSJ-60 | 制造商:Siemens 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 42 Pin, Plastic, SOJ |
| HYB5118165BSJBST-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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