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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5118160BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO42 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 文件頁數(shù)： | 3/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | HYB5118160BSJ-60 |
Semiconductor Group
3
HYB 5118160BSJ-50/-60/-70
1M x 16-DRAM
Pin Configuration
Truth Table
RAS
LCAS
UCAS
WE
H
OE
H
I/O1-I/O8
High-Z
I/O9-I/O16
High-Z
Operation
Standby
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
L
L
H
L
L
H
H
H
L
L
H
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
H
H
L
L
L
H
H
H
H
High-Z
Dout
High-Z
Dout
Din
Don't care
Din
High-Z
High-Z
High-Z
Dout
Dout
Don't care
Din
Din
High-Z
Refresh
Lower byte read
Upper byte read
Word read
Lower byte write
Upper byte write
Word write
NOP
P-SOJ-42 (400 mil)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
Vcc
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
Vcc
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
N.C.
N.C.
WE
RAS
N.C.
N.C.
A0
A1
A2
A3
Vcc
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
Vss
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
Vss
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
N.C.
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5118165BJ-60 | RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| HYB5118165BSJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BST-50 | RES 110-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| HYB5118165BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118165BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5118165BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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