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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5117805BJ-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/25頁(yè) |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | HYB5117805BJ-70 |
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Semiconductor Group
21
HYB5117805BSJ-50/-60/-70
2M x 8-EDO DRAM
Hidden Refresh Early Write Cycle
RAS
I/O
(Output)
I/O
(Input)
WE
Address
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RSH
t
RAD
t
CAH
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
ASR
t
RAH
t
DS
t
DH
t
ASR
t
CRP
t
CHR
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RP
t
ASC
Row
Row
Valid Data
HI-Z
Column
VOH
VOL
t
WRP
t
WRH
WL12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5117805BSJ-50-60 | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode-EDO） |
| HYB5117805BJ-50 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-50 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-50- | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117805BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-50-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5117805BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5118160BSJ50 | 制造商:SIEMENS 功能描述:* |
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