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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5116405BT-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 19/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | HYB5116405BT-70 |
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Semiconductor Group
19
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
RAS-Only Refresh Cycle
t
CRP
t
RAH
t
RP
t
RAS
t
RC
t
ASR
t
ASR
t
RPC
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
Row
Row
HI-Z
Address
RAS
CAS
I/O
(Outputs)
“H” or “L”
WL9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5116405BJBT-50- | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BT-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5117405BT-60 | RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88% |
| HYB5117405BT-70 | POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88% |
| HYB5117405BJ-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5116800AJ-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5116800AJ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5116800AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5116800AJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5117400AJ-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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