參數(shù)資料
型號: HYB5116165BJ-70
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
中文描述: 1M X 16 EDO DRAM, 70 ns, PDSO42
文件頁數(shù): 18/26頁
文件大?。?/td> 269K
代理商: HYB5116165BJ-70
Semiconductor Group
18
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
LCAS
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
Column 1
Column 2
Row
Addr
Data In N
Data In 2
Data In 1
Column N
RAS
I/O (Input)
WE
Address
UCAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
RWL
t
DH
t
DS
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
WL8
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PDF描述
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