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參數(shù)資料
| 型號： | HYB41256 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | 262,144位動態(tài)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 381K |
| 代理商： | HYB41256 |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB511000BJ-60 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB41256-10 | 制造商:Siemens 功能描述: |
| HYB41256-12 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB4164-P1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Page Mode DRAM |
| HYB4164-P2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Page Mode DRAM |
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