- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370792 > HYB39S256800 (SIEMENS AG) 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S256800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆比特同步DRAM（256M位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 46/46頁 |
| 文件大小： | 594K |
| 代理商： | HYB39S256800 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁當前第46頁
H
2
\
CLK
CKE
CS
DQ
RAS
CAS
WE
BS
DQM
19. Precharge Termination of a Burst
T2
T3
T4
T0
T1
T6
T7
T8
T9
T5
T11
T12
T13
T14
T10
T16
T17
T18
T19
T15
T22
T20
T21
Hi-Z
AP
Burst Length = 8 , CAS Latency = 2
Addr
t
CK2
Precharge
Command
Bank A
DAx0
DAx3
DAx2
DAx1
Precharge Termination
of a Write Burst. Write
data is masked.
Ay0
Ay1
Ay2
Precharge Termination
of a Read Burst.
Precharge
Command
Bank A
t
RP
Activate
Command
Bank A
RAx
RAx
Write
Command
Bank A
CAx
CAy
Read
Command
Bank A
High
Activate
Command
Bank A
RAy
RAy
t
RP
Activate
Command
Bank A
RAz
RAz
CAz
Read
Command
Bank A
Az0
Az1
Az2
Precharge
Command
Bank A
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S256400DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-75 | Polypropylene metallized tape wrap and epoxy filled - Snubber |
| HYB39S256400DC-8 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DCL-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800AT-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800AT-8B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800CT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?256Mb (32M x 8) PC133 3-3-3? |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。