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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S16400-1 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 16 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16兆位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | HYB39S16400-1 |
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HYB 39S16400/800/160CT-8/-10
16 MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
3
1998-10-01
Pin Configuration
SPP03401
20
21
28
27
19
17
18
16
15
DQ0
V
DDQ
N.C.
N.C.
V
SSQ
DQ2
V
DDQ
DD
V
N.C.
V
9
10
11
12
13
14
2
3
4
5
6
1
40
39
32
31
30
29
36
35
34
33
37
38
7
8
DQ3
V
DDQ
N.C.
V
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A6
A5
A4
V
A3
V
DD
A2
A0
A1
22
CKE
N.C.
SS
42
41
43
44
CLK
DQM
N.C.
N.C.
A7
A8
A9
26
25
24
SS
V
SSQ
SSQ
DQ1
V
N.C.
V
DDQ
N.C.
SSQ
23
SPP03402
20
21
28
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19
17
18
16
15
DQ1
V
DDQ
DQ2
DQ5
V
SSQ
DQ4
V
DDQ
DD
V
DQ0
V
9
10
11
12
13
14
2
3
4
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1
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32
31
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35
34
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38
7
8
DQ6
V
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DQ7
V
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A6
A5
A4
V
A3
V
DD
A2
A0
A1
22
CKE
N.C.
SS
42
41
43
44
CLK
DQM
N.C.
N.C.
A7
A8
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26
25
24
SS
V
SSQ
SSQ
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V
N.C.
V
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N.C.
SSQ
23
SPP03403
20
21
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15
DQ0
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V
DQ2
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V
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DQ12
V
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CAS
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CS
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A10
A6
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V
A3
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A0
A1
22
23
24
25
CKE
N.C.
SS
46
45
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44
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UDQM
N.C.
A7
A8
A9
26
SSQ
SS
V
SSQ
SSQ
DDQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S16400CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16800CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400BT-10 | JOYSTICK, POTENTIOMETER, 3 AXIS; Angle:20(degree); Centres, fixing:32.2mm; Depth, external:41.5mm; Diameter, panel cut-out:39mm; Length / Height, external:73mm; Material:ABS; Operations, mechanical No. of:1000000; Power, DC:0.125W; RoHS Compliant: Yes |
| HYB39S16400CT-10 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16800CT-10 | 16 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S16400AT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
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| HYB39S16400BT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400BT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400CT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
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