參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3164165T-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 16-Bit Dynamic RAM
中文描述： 4M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO54
文件頁(yè)數(shù)： 23/30頁(yè)
文件大?。?/td> 391K
代理商： HYB3164165T-60
Semiconductor Group
53
HYB3164(5)165T(L)-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
RAS Only Refresh Cycle
t
CRP
t
RAH
t
RP
t
RAS
t
RC
t
ASR
t
ASR
t
RPC
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
Row
Row
HI-Z
Address
RAS
UCAS
LCAS
I/O
(Outputs)
“H” or “L”
WL9
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PDF描述
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