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參數(shù)資料
| 型號： | HYB314265BJ-45 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 45 ns, PDSO40 |
| 文件頁數(shù)： | 12/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | HYB314265BJ-45 |
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HYB 5(3)14265BJ(L)-400/-40/-45/-50
256K x 16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
12
Output buffer turn-off delay
t
OFF
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
12
0
13
ns
12
Output turn-off delay from OE
0
12
0
13
ns
12
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
10
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
10
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
7
–
8
–
ns
Write command pulse width
7
–
8
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
12
–
13
–
ns
Write command to CAS lead time
12
–
13
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
7
–
8
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
107
–
118
–
ns
RAS to WE delay time
59
–
64
–
ns
15
CAS to WE delay time
26
–
27
–
ns
15
Column address to WE delay time
36
–
39
–
ns
15
OE command hold time
7
–
10
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle time
t
HPC
t
CPA
t
COH
t
RAS
t
RHPC
18
–
20
–
ns
Access time from CAS precharge
–
25
–
27
ns
7
Output data hold time
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in EDO mode
45
200k
50
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
25
–
27
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
t
T
= 2 ns
Parameter
16E
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-45
-50
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514265BJ-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJ-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-45 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB514405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314265BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-45 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314265BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB314400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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