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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3118160BST-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | HYB3118160BST-70 |
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Semiconductor Group
4
HYB3116(8)160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
3.3V 1M x 16-DRAM
Block Diagram for HYB 3116160BSJ
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(8)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (12)
Address
Buffers(12)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
4096x256x16
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
UCAS
LCAS
.
4096
256
x16
.
RAS
8
12
16
I/O1
I
/O2
OE
12
12
16
16
8
I
/O16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116160BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ | RES 10K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| HYB3116160BST-50 | RES 10K-OHM 5% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| HYB3118160BST-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3118165BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB3118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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