參數資料
型號: HYB3117405BT-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-24
文件頁數: 12/26頁
文件大小: 285K
代理商: HYB3117405BT-60
Semiconductor Group
12
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Waveforms
Read Cycle
Row
Column
Row
Valid Data Out
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RCD
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
RAH
t
CRP
t
RSH
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASC
t
ASR
t
RCH
t
RRH
t
RCS
t
AA
t
OEA
t
CLZ
t
CAC
t
OEZ
t
ODD
t
CDD
t
OFF
t
DZC
t
DZO
t
RAC
Hi Z
Hi Z
“H” or “L”
WL1
相關PDF資料
PDF描述
HYB3116405BT-60 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117405BT-70 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BT-70 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BJBTL-50- 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3116405BTL-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
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HYB3117800BSJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3117800BSJL-50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM