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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3117405BT-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-24 |
| 文件頁數(shù)： | 23/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3117405BT-50 |
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Semiconductor Group
23
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
RAS
I/O
(Output)
I/O
(Input)
WE
Address
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RSH
t
RAD
t
CAH
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
ASR
t
RAH
t
DS
t
DH
t
ASR
t
CRP
t
CHR
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RP
t
ASC
Row
Row
Valid Data
HI-Z
Column
VOH
VOL
t
WRP
t
WRH
WL12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BT-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BT-60 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-60 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BT-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BT-70 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB3117800BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
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