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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117405BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 文件頁數(shù)： | 17/26頁 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | HYB3117405BJ-50 |
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Semiconductor Group
17
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
t
RP
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Column 1
Column 2
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Data In 1
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I/O (Input)
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Address
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“H” or “L”
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HPC
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RAD
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RHCP
t
ASC
WL8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-70 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJL-50 | x8 Fast Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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