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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116400BTL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/26頁(yè) |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | HYB3116400BTL-60 |
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Semiconductor Group
19
HYB 3116(7)400BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
RAS-Only Refresh Cycle
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Address
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(Outputs)
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“H” or “L”
WL9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164160AT-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165160AT-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3166160AT-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164160AT | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164160AT-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3116405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3116405BJBTL-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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