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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25R288180C-745 |
| 英文描述： | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| Rambus公司| 16MX18 |的CMOS | BGA封裝| 66PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/76頁(yè) |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25R288180C-745 |
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2002-05-06
Page 27 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Read to Write: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
BST
N
OP
W
rite
N
OP
N
OP
Read
DI a-b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n
.DI a-b = data in to bank a, column b
1 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Data In elements are applied following Dl a-b in the programmed order, according to burst length.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2
t
DQSS
(min)
CAS Latency = 2.5
BST
N
OP
N
OP
W
rite
N
OP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2.5
t
DQSS
(min)
Dla-b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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