參數資料
型號： HYB25R128160C-845
英文描述： RAMBUS DRAM
中文描述： Rambus的內存
文件頁數： 7/76頁
文件大?。?/td> 1218K
代理商： HYB25R128160C-845
2002-05-06
Page 7 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Block Diagram (8Mb x 16)
R
1
DQS
CK, CK
DLL
RAS
CAS
CK
CS
WE
CK
C
Column-Address
Counter/Latch
Mode
Registers
9
C
D
A0-A11,
BA0, BA1
CK
E
14
14
I/O
G
ating
DM Mask Logic
Array
(40
9
6 x 256x 32)
Sense Amplifiers
Bank1
Bank2
Bank3
12
8
1
2
2
R
16
16
16
RInput
1
1
1
1
1
32
32
2
32
clk
Data
Mask
Data
CK,
CK
COL0
COL0
COL0
clk
in
M
X
G
DQS
16
16
16
16
16
32
DQ0-DQ15,
DM
LDQS, UDQS
2
R
W
rite
F&
Drivers
Note:
This Functional Block Diagram is intended to facilitate user understanding of the operation of
the device; it does not represent an actual circuit implementation.
Note:
UDM and LDM are unidirectional signals (input only), but is internally loaded to match the
load of the bidirectional DQ , UDQS and LDQS signals.
Column
Decoder
(256
R
X
1
8
9
2
B
R
&
40
9
6
A
D
B
12
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PDF描述
HYB25R144180C-840 RAMBUS DRAM
HYB25R288180C-653 DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC
HYB25R288180C-745 DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC
HYB25R288180C-840 DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC
HYB25R288180C-845 DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC
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