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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25R128160C-653 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 62/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25R128160C-653 |
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Page 62 of 76
2002-05-06
Timing Diagrams
Data Input (Write)
(Timing Burst Length = 4)
Data Output (Read)
(Timing Burst Length = 4)
t
D
H
t
DS
t
D
H
t
DS
t
DQSL
DI n = Data In for column n.
3 subsequent elements of data in are applied in programmed order following DI n.
DI n
DQS
DQ
DM
Don’t Care
t
DQS
H
t
Q
H
(Data output hold time from DQS)
t
DQSQ
and t
Q
H
are only shown once and are shown referenced to different edges of DQS, only for clarify of illustration.
.
t
DQSQ
and t
Q
H
both apply to each of the four relevant edges of DQS.
DQS
DQ
t
DQSQ max
t
Q
H
t
DQSQ max.
is used to determine the worst case setup time for controller data capture.
t
Q
H
is used to determine the worst case hold time for controller data capture.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C-745 | RAMBUS DRAM |
| HYB39M83200Q133 | Synchronous Multibank DRAM |
| HYB39L128160AT-7.5 | ?128M (8Mx16) 133MHz 3-3-3 ? |
| HYB39M83200L100 | Synchronous Multibank DRAM |
| HYB39M83200L120 | Synchronous Multibank DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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