參數(shù)資料
型號： HYB25M128160C-845
英文描述： RAMBUS DRAM
中文描述： Rambus的內(nèi)存
文件頁數(shù)： 23/76頁
文件大?。?/td> 1218K
代理商： HYB25M128160C-845
2002-05-06
Page 23 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Non-Consecutive Read Bursts: CAS Latencies (Burst Length = 4)
CAS Latency = 2
N
OP
N
OP
Read
N
OP
N
OP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n
DOa- b
DO a-n (or a-b) = data out from bank a, column n (or bank a, column b).
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n (and following DO a-b).
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2
CAS Latency = 2.5
N
OP
N
OP
Read
N
OP
N
OP
Read
DO a-n
DOa- b
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2.5
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
N
OP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB25M144180C-745 RAMBUS DRAM
HYB25M144180C-840 RAMBUS DRAM
HYB25M144180C-845 RAMBUS DRAM
HYB25M288180C-653 DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC
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參數(shù)描述
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HYB3116160BSJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh
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