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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25L128160AC-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| 中文描述： | 128 - Mbit同步低功率DRAM在CHIPSIZE套票 |
| 文件頁數(shù)： | 24/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 980K |
| 代理商： | HYB25L128160AC-8 |
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HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
24
2003-02
0LQLPXP5HDGWR:ULWH,QWHUYDO
1RQ0LQLPXP5HDGWR:ULWH,QWHUYDO
the Write Command
Must be Hi-Z before
Bank A
CAS
latency = 2
t
, DQ
’
s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ
’
s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ
’
s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.100/.21 |
| HYE25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.178/.25 |
| HYE25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L512160AC-75 | 512MBit Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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