參數(shù)資料
型號： HYB25D512160TFL-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： MEMORY SPECTRUM
中文描述： 記憶譜
文件頁數(shù)： 12/90頁
文件大小： 3191K
代理商： HYB25D512160TFL-3
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Pin Configuration
Data Sheet
12
Rev. 1.2, 2004-06
2
Pin Configuration
The pin configuration of a DDR SDRAM is listed by function in
Table 3
(60 pins). The abbreviations used in the
Pin#/Buffer# column are explained in
Table 4
and
Table 5
respectively. The pin numbering for FBGA is depicted
in
Figure 1
and that of the TSOP package in
Figure 2
Table 3
Ball#/Pin#
Pin Configuration of DDR SDRAM
Name
Pin
Type
Clock Signals
G2, 45
CK
G3, 46
CK
H3, 44
CKE
Control Signals
H7, 23
RAS
G8, 22
CAS
G7, 21
WE
H8, 24
CS
Address Signals
J8, 26
BA0
J7, 27
BA1
K7, 29
A0
L8, 30
A1
L7, 31
A2
M8, 32
A3
M2, 35
A4
L3, 36
A5
L2, 37
A6
K3, 38
A7
K2, 39
A8
J3, 40
A9
K8, 28
A10
AP
J2, 41
A11
H2, 42
A12
Buffer
Type
Function
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
Clock Signal
Complementary Clock Signal
Clock Enable Rank
I
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Chip Select
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
Bank Address Bus 2:0
Address Bus 11:0
Address Signal 12
Note:256 Mbit or larger dies
Note:128 Mbit or smaller dies
Address Signal 13
Note:1 Gbit based dies
Note:512 Mbit or smaller dies
NC
A13
NC
I
—
SSTL
F9, 17
NC
NC
—
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512160AT 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160AT-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160AT-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TCL-75 MEMORY SPECTRUM
HYB25D512400AT CAP .0027UF 16V PPS FILM 0603 2%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512400BR-7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT
HYB25D512400CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*