參數(shù)資料
型號： HYB25D512160AT
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù)： 4/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512160AT
Template: mp_a4_v1.0_2003-04-25.fm
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T], HYB25D512[40/80/16]0B[E/F],
Revision History:
Rev. 1.2
Previous Version:
Rev. 1.1
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1
Editorial Change
67
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2004-06
2004-06
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512160AT-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160AT-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TCL-75 MEMORY SPECTRUM
HYB25D512400AT CAP .0027UF 16V PPS FILM 0603 2%
HYB25D512400AT-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB25D512400CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
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