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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D256800BT-5 |
| 英文描述： | ?256Mbit (32Mx8) DDR400? |
| 中文描述： | ？的256Mbit（32Mx8）DDR400內(nèi)存？ |
| 文件頁數(shù)： | 41/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25D256800BT-5 |
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2002-05-06
Page 41 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write to Precharge: Minimum DQSS, Odd Number of Data (1 bit Write), Interrupting
(Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 1 data element is written.
t
W
R
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don
'
t care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don
'
t care at this point.
3 = This bit is correctly written into the memory array if DM is low.
4 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
N
OP
N
OP
N
OP
PR
E
W
rite
N
OP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
W
R
t
RP
DI a-b
DQS
DQ
t
DQSS
(min)
2
1
1
DM
3
4
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D256800BT-6 | ?256Mbit (32Mx8) DDR333 (2.5-3-3)? |
| HYB25D256800BT-7 | ?256Mbit (32Mx8) DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D256800BT-8 | ?256Mbit (32Mx8) DDR200 (2-2-2) ? |
| HYB25D256800T-7 | DDR Synchronous DRAM |
| HYB25D256800T-7.5 | DDR Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D256800BT-5A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Double Data Rata SDRAM |
| HYB25D256800BT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?256Mbit (32Mx8) DDR333 (2.5-3-3)? |
| HYB25D256800BT-7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-Mbit Double Data Rate SDRAM, Die Rev. B |
| HYB25D256800BT-7F | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D256800BT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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