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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128400CE-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 67/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 3085K |
| 代理商： | HYB25D128400CE-6 |
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—
0.40
0.60
0.25
—
0.6
—
Data Sheet
67
Rev. 1.0, 2004-04
HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Electrical Characteristics
DQS-DQ skew (DQS and
associated DQ signals)
t
DQSQ
—
+0.40
—
+0.40
—
+0.5
ns
TFBGA
2)3)4)5)
—
+0.40
—
+0.45
—
+0.5
ns
TSOPII
2)3)4)5)
Data hold skew factor
t
QHS
—
+0.50
—
+0.50
+0.75
ns
TFBGA
2)3)4)5)
—
+0.50
—
+0.55
+0.75
ns
TSOPII
2)3)4)5)
DQ/DQS output hold time
t
QH
t
HP
–
t
QHS
—
t
HP
–
t
QHS
—
t
HP
–
t
QHS
—
ns
2)3)4)5)
DQS input low (high) pulse width
(write cycle)
DQS falling edge to CK setup
time (write cycle)
DQS falling edge hold time from
CK (write cycle)
Mode register set command cycle
time
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
Address and control input setup
time
t
DQSL,H
0.35
—
0.35
—
0.35
—
t
CK
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
MRD
2
—
2
—
2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
0
0
0.40
0.25
0.75
—
0.60
—
—
0
0.40
0.25
0.9
—
0.60
—
—
ns
t
CK
t
CK
ns
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
fast slew
rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
1.0
—
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
Address and control input hold
time
t
IH
0.6
—
0.75
—
0.9
—
ns
fast slew
rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
1.0
1.1
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
Read preamble
Read postamble
Active to Precharge command
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
0.9
0.40
40
1.1
0.60
70E+3 42
0.9
0.40
1.1
0.60
70E+3 45
0.9
0.40
1.0
0.60
120E+
3
—
t
CK
t
CK
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
Active to Active/Auto-refresh
command period
Auto-refresh to Active/Auto-
refresh command period
Active to Read or Write delay
Precharge command period
t
RC
55
—
60
—
65
ns
2)3)4)5)
t
RFC
70
—
72
—
75
—
ns
2)3)4)5)
t
RCD
t
RP
15
15
—
—
18
18
—
—
20
20
—
—
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
Table 19
Parameter
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200, PC2700 and PC2100
Symbol –5
DDR400B
Min.
–6
–7
Unit
Note/ Test
Condition
1)
DDR333
Min.
DDR266A
Min.
Max.
Max.
Max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128800CE-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128160CE-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB25D128160AT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128160AT-7 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128400CE-7 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128400CT-7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800AT-7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128Mb (16Mx8) DDR200 (2-2-2)? |
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