參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： DDR2 Registered Memory Modules
中文描述： 注冊的DDR2內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 25/33頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： HYB18T512800AC
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
25
Rev. 0.85, 2004-04
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
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78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
Psi(ca) REG
T
PLL
T
REG
/ Toggle Rate
SPD Revision
Checksum of Bytes 0-62
JEDEC ID Code of Infineon (1) C1
JEDEC ID Code of Infineon (2) 00
JEDEC ID Code of Infineon (3) 00
JEDEC ID Code of Infineon (4) 00
JEDEC ID Code of Infineon (5) 00
JEDEC ID Code of Infineon (6) 00
JEDEC ID Code of Infineon (7) 00
JEDEC ID Code of Infineon (8) 00
Module Manufacturer Location
Product Type, Char 1
Product Type, Char 2
Product Type, Char 3
Product Type, Char 4
Product Type, Char 5
Product Type, Char 6
Product Type, Char 7
Product Type, Char 8
Product Type, Char 9
Product Type, Char 10
Product Type, Char 11
Product Type, Char 12
Product Type, Char 13
Product Type, Char 14
Product Type, Char 15
Product Type, Char 16
Product Type, Char 17
Product Type, Char 18
Module Revision Code
8C
59
5C
11
C3
8C
59
5C
11
C3
C1
00
00
00
00
00
00
00
xx
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32
54
32
35
36
32
32
30
47 / 48
52
35
41
20
20
20
20
20
0x
8C
59
5C
11
C0
C1
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00
00
00
00
00
xx
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52
35
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20
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2x
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xx
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52
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20
20
2x
xx
37
32
54
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35
36
30
32
30
47 / 48
52
35
41
20
20
20
20
20
0x
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–3200R–333
Rev. 1.1
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
HEX
H
H
2 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
Rev. 1.1
HEX
Rev. 1.1
HEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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