參數(shù)資料
型號： HYB18T256800AF-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256 Mbi t DDR2 SDRAM
中文描述： 256姆噸DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 41/90頁
文件大?。?/td> 1246K
代理商： HYB18T256800AF-5
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 41 Rev. 1.02 May 2004
Write Burst Interrupt Timing Example: (CL = 3, AL = 0, WL = 2, BL = 8)
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
W RITE A
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
WBI
DQS,
DQS
NOP
Din A0
Din A1
Din A2
Din A3
Din B0
Din B1
Din B2
Din B3
Dout B4
Din B5
Din B6
Din B7
W RITE B
CK, CK
NOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256324F-16 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F-20 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F-22 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256400AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256160A-3S 256 Mbi t DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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