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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256400AFL-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內存 |
| 文件頁數(shù)： | 85/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 1711K |
| 代理商： | HYB18T256400AFL-5 |
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HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 85 Rev. 1.02 May 2004
8.4 Overshoot and Undershoot Specification
8.4.1 AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins
8.4.2 AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask Pins
Parameter
DDR2
-400
DDR2
-533
DDR2
-667
Units
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.9
0.9
0.9
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.9
0.9
0.9
V
Maximum overshoot area above VDD
0.75
0.56
0.45
V.ns
Maximum undershoot area below VSS
0.75
0.56
0.45
V.ns
Parameter
DDR2
-400
DDR2
-533
DDR2
-667
Units
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.9
0.9
0.9
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.9
0.9
0.9
V
Maximum overshoot area above VDDQ
0.38
0.28
0.23
V.ns
Maximum undershoot area below VSSQ
0.38
0.28
0.23
V.ns
VDD
VSS
Overshoot Area
Undershoot Area
Maximum Amplitude
Maximum Amplitude
Time (ns)
V
VDDQ
VSSQ
Overshoot Area
Undershoot Area
Maximum Amplitude
Maximum Amplitude
Time (ns)
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256800AFL-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AC | DDR2 Registered DIMM Modules |
| HYB18T256400AC | DDR2 Registered DIMM Modules |
| HYB18T512400AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
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