- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370786 > HYB 5117805BSJ-60 (SIEMENS AG) 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態(tài)隨機(jī)存儲器（200萬× 8位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 19/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB 5117805BSJ-60 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
19
1998-10-01
Hidden Refresh Cycle (Read) Cycle
V
CLZ
I/O
(Outputs)
OL
V
"H" or "L"
OH
V
I/O
(Inputs)
IL
V
IH
V
t
RAC
t
DZO
t
OE
V
IL
IH
V
WE
IL
IH
V
DZC
t
Valid Data OUT
SPT03034
t
CAC
OEA
AA
t
t
OFF
OEZ
t
t
Hi
t
ODD
Z
CDD
t
Column
RAS
ASR
V
Address
IL
IH
V
t
RCS
t
Row
RAH
ASC
t
t
CAS
IL
V
IH
V
RAS
IL
V
IH
V
t
RCD
RAD
t
t
WRP
t
RRH
CAH
t
t
WRH
t
t
RSH
t
CHR
RAS
t
ASR
t
Row
CRP
t
RC
t
t
RP
RC
t
RP
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117805BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5118160BSJ50 | 制造商:SIEMENS 功能描述:* |
| HYB5118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。