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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5117400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器（4米× 4位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 4/26頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | HYB 5117400BJ-50 |
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HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
4
1998-10-01
Block Diagram for HYB 5(3)116400 (4k-refresh)
SPB03455
&
No.2 Clock
Generator
Address
Buffers (10)
Column
Controller
Refresh
Refresh
Counter (12)
Buffers (12)
Row
Address
Generator
No.1 Clock
12
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
Row
Decoder
RAS
4096 x 1024 x 4
Memory Array
4096
1024
x 4
Sense Amplifier
I/O Gating
10
Column
Decoder
Buffer
Data IN
Data OUT
Buffer
I/O1
4
4
OE
Voltage Down
Generator
V
CC
(internal)
V
CC
12
4
CAS
WE
I/O2
I/O3
I/O4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BTL-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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