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參數(shù)資料
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HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A11)
C
I1
C
I2
C
IO
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
–
7
pF
I/O capacitance (I/O1 to I/O4)
–
7
pF
AC Characteristics
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
Common Parameters
Random read or write cycle time
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
t
REF
t
REF
84
–
104
–
ns
RAS precharge time
30
–
40
–
ns
RAS pulse width
50
10k
60
10k
ns
CAS pulse width
8
10k
10
10k
ns
Row address setup time
0
–
0
–
ns
Row address hold time
8
–
10
–
ns
Column address setup time
0
–
0
–
ns
Column address hold time
8
–
10
–
ns
RAS to CAS delay time
12
37
14
45
ns
RAS to column address delay
10
25
12
30
ns
RAS hold time
13
–
15
–
ns
CAS hold time
40
–
50
–
ns
CAS to RAS precharge time
5
–
5
–
ns
Transition time (rise and fall)
1
50
1
50
ns
7
Refresh period for 2k-refresh version
–
32
–
32
ms
Refresh period for 4k-refresh version
–
64
–
64
ms
Refresh period for Low Power Version
–
128
–
128
ms
Read Cycle
Access time from RAS
t
RAC
t
CAC
–
50
–
60
ns
8, 9
Access time from CAS
–
13
–
15
ns
8, 9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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