參數資料
型號： HY64LD16162M
英文描述： x16|2.5(VDD)2.5(VDDQ)V|85|Pseudo SRAM - 16M
中文描述： x16 | 2.5（VDD）在2.5（提供VDDQ）V | 85 |偽靜態(tài)存儲器- 1,600
文件頁數： 10/11頁
文件大小： 348K
代理商： HY64LD16162M
HY64LD16162M Series
10
Revision 1.7
March. 2002
NOTE.
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE MILLIMETERS.
BALL DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
CROWN OF THE SOLDER BALLS.
5. THIS IS A CONTROLLING DIMENSION.
PACKAGE DIMENSION
48ball Fine Pitch Ball Grid Array Package(F)
3. DIMENSION “D” IS MEASURED AT THE MAXIMUM SOLDER
4. PRIMARY DATUM C(SEATING PLANE) IS DEFINED BY THE
unit : mm
Max.
A
A
B
B
B1
C
C
C1
D
D
E
E
E1
E2
R
R
Symbol
-
-
-
-
6.90
-
-
7.90
0.30
-
-
-
-
0.20
-
-
Min.
0.75
7.00
3.75
8.00
5.25
0.35
1.00
0.75
0.25
-
-
Typ.
-
-
-
-
7.10
-
-
8.10
0.40
1.10
-
-
0.30
0.08
B
B
C
C
TOP VIEW
A1 CORNER
INDEX AREA
E
E
E2
SIDE VIEW
C
C
A
A
5
5
R
R
D(DIAMETER)
3
3
E1
SEATING PLANE
4
4
A
A
B1
C1
BOTTOM VIEW
A
A
B
B
C
C
D
D
E
E
F
F
G
G
H
H
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
A
A
C/2
B/2
A1 INDEX
MARK
相關PDF資料
PDF描述
HY64LD16162M-DF85C PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
HY64LD16162M-DF85E PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
HY64LD16162M-DF85I PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
HY64LD16322M x16|2.5(VDD)2.5(VDDQ)V|85|Pseudo SRAM - 32M
HY64LD16322M-DF85E PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
相關代理商/技術參數
參數描述
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HY64LD16162M-DF85E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
HY64LD16162M-DF85I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
HY64LD16162M-E 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
HY64LD16162M-I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
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