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參數(shù)資料
| 型號： | HY62WT08081E |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | HY62WT08081E系列32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | HY62WT08081E |
HY62WT08081E Series
AC TEST CONDITIONS
T
A
= 0
°
C to 70
°
C (Normal) / -25
°
C to 85
°
C (Extended) / -40
°
C to 85
°
C (Industrial)
unless otherwise specified.
Parameter
Input Pulse Level
Vcc = 4.5~5.5V
Vcc = 2.7~3.6V
Input Rise and Fall Time
Input and Output Timing Reference Level
Output Load
tCLZ,tOLZ,tCHZ,tOHZ,tWHZ,tOW
Others
AC TEST LOADS
TTL
Rev 04 / May. 2001
6
Value
0.8V to 2.4V
0.4V to 2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF + 1TTL Load
CL = 100pF + 1TTL Load
CL* = 30pF + 1TTL Load
Note : Including jig and scope capacitance
CAPACITANCE
T
A
= 25
°
C, f = 1.0MHz
Symbol
Parameter
C
IN
Input Capacitance
C
I/O
Input /Output Capacitance
Note : These parameters are sampled and not 100% tested
CL(1)
Condition
V
IN
= 0V
V
I/O
= 0V
Max.
6
8
Unit
pF
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62WT08081E-DGC | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DGE | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DGI | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DPC | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DPE | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY6300 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC |
| HY6316100AJ-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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