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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62WT08081E-DGE |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | HY62WT08081E系列32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/13頁(yè) |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | HY62WT08081E-DGE |
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HY62WT08081E Series
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1
Rev 04 / May. 2001
7
ADDR
OE
CS
Data
Out
Note(READ CYCLE):
1. t
CHZ
and t
OHZ
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and arenot
referenced to output voltage levels.
2. At any given temperature and voltage condition, t
CHZ
max. is less than t
CLZ
min. both for a given device
and from device to device.
3. /WE is high for the read cycle.
READ CYCLE 2
tRC
Data Valid
tRC
tACS
tCLZ
tOE
tOLZ
tAA
tOH
tOHZ
tCHZ
High-Z
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
Note(READ CYCLE):
1. /WE is high for the read cycle.
2. Device is continuously selected /CS= V
IL.
3. /OE =V
IL
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62WT08081E-DGI | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DPC | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DPE | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DPI | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62WT08081E-DTC | HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY6300 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC |
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| HY6316100AJ-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY6316100AJ-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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