參數(shù)資料
型號(hào)： HY62V8200B
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM
中文描述： HY62V8200B系列256Kx8bit CMOS SRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
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代理商： HY62V8200B
Y62V8200B Series
DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC
T
A
= 0
°
C to 70
°
C / -25
°
C to 85
°
C (E)/ -40
°
C to 85
°
C (I)
Symbol
Parameter
V
DR
Vcc for Data Retention
I
CCDR
Data
HY62V8200B
Retention
HY62V8200B-E
Current
HY62V8200B-I
tCDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
tR
Operating Recovery Time
Notes:
1. Typical values are under the condition of T
A
= 25
°
C.
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM 1
VCC
Rev 06 / Apr. 2001
8
Test Condition
/CS1>Vcc - 0.2V or CS2<0.2V,
V
IN
>Vcc - 0.2V or V
IN
>Vss + 0.2V
Vcc=3.0V,
/CS1>Vcc - 0.2V or CS2<0.2V,
V
IN
>Vcc - 0.2V or V
IN
>Vss + 0.2V
See Data Retention Timing
Diagram
Min.
2.0
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
-
25
25
25
-
Unit
V
uA
uA
uA
ns
-
-
-
0
5
-
-
ms
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM 2
VCC
CS1
VDR
CS1>VCC-0.2V
tCDR
tR
VSS
3.0V
2.2V
DATA RETENTION MODE
0.4V
VDR
tCDR
tR
VSS
CS2
3.0V
DATA RETENTION MODE
CS2<0.2V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HY62V8200BLLR1-I HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM
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HY62V8200BLLSR-E HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM
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