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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62UF16101CSLF-I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 64Kx16bit full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 64Kx16bit充分的CMOS的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | HY62UF16101CSLF-I |
HY62UF16101C Series
DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC
T
A
=0
°
C to 70
°
C / -40
°
C to 85
°
C (I)
Symbol
Parameter
Test Condition
V
DR
Vcc for Data Retention
/CS > Vcc - 0.2V or
/UB = /LB > Vcc-0.2V,
V
IN
> Vcc - 0.2V or V
IN
< Vss + 0.2V
I
CCDR
Data Retention Current
Vcc=1.5V, /CS > Vcc - 0.2V,
/UB = /LB > Vcc-0.2V,
V
IN
> Vcc - 0.2V or
V
IN
< Vss + 0.2V
tCDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
Diagram
tR
Operating Recovery Time
Notes:
1. Typical values are under the condition of T
A
= 25
°
C.
2. tRC is read cycle time.
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM
VCC
DATA RETENTION MODE
Rev.04 /Dec. 00
7
Min
1.2
-
-
0
Typ
-
0.5
-
-
Max
3.3
2
1
-
Unit
V
uA
uA
ns
LL
SL
See Data Retention Timing
tRC
(2)
-
-
ns
CS
or /UB &/LB
VDR
CS > VCC-0.2V
or /UB = /LB > Vcc – 0.2V
tCDR
tR
VSS
2.7V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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