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參數(shù)資料
| 型號： | HY62KF08802B-SDI |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1M x 8bit 2.7 ~ 3.6V Super low Power FCMOS Slow SRAM |
| 中文描述： | 1M × 8位2.7?3.6V的超低功耗FCMOS慢的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | HY62KF08802B-SDI |
HY62KF08802B Series
DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC
T
A
= -40
°
C to 85
°
C
Symbol
Parameter
Test Condition
/CS > Vcc - 0.2V,
V
IN
> Vcc - 0.2V or
V
IN
< Vss + 0.2V
Vcc=1.5V,
/CS > Vcc - 0.2V or
V
IN
> Vcc - 0.2V or
V
IN
< Vss + 0.2V
Chip Deselect to Data
Retention Time
tR
Operating Recovery Time
Notes:
1. Typical values are under the condition of T
A
= 25
°
C.
2. Typical value are sampled and not 100% tested
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM 1
VCC
DATA RETENTION MODE
Rev.00 / Jan.02
7
Min
Typ
1.
Max
Unit
V
DR
Vcc for Data Retention
1.2
-
3.6
V
SL
-
0.1
6
uA
Iccdr
Data Retention Current
LL
-
0.1
20
uA
tCDR
0
-
-
ns
See Data Retention Timing Diagram
tRC
-
-
ns
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM 2
/CS1
VDR
CS1>VCC-0.2V
tCDR
tR
VSS
2.7V
VIH
0.4V
VDR
tCDR
tR
VSS
VCC
2.7V
CS2
DATA RETENTION MODE
CS2<0.2V
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PDF描述 |
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