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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62CT08081E-DTC |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | HY62CT08081E-DTC |
HY62CT08081E Series
PACKAGE INFORMATION
Rev 04 / Apr. 2001
9
28pin 600mil Dual In-Line Package(Blank)
UNIT : INCH(mm)
MIN.
MAX.
1.467(37.262)
1.447(36.754)
0.140(3.556)
0.120(3.048)
0.155(3.937)
0.145(3.683)
0.035(0.889)
0.020(0.508)
0.021(0.533)
0.015(0.381)
0.100(2.54)BSC
0.065(1.650)
0.050(1.270)
0.090(2.286)
0.070(1.778)
0.014(0.356)
0.008(0.200)
0.600(15.240)BSC
0.550(13.970)
0.530(13.462)
3 deg
11 deg
28pin 330mil Small O utline Package(FW)
UNIT : INCH(mm)
0.346(8.788)
0.338(8.585)
0.480(12.192)
0.460(11.684)
0.110(2.794)
0.094(2.388)
0.014(0.356)
0.002(0.051)
0.050(1.270)BSC
0.020(0.508)
0.014(0.356)
0.728(18.491)
0.720(18.288)
0.012(0.305)
0.008(0.203)
0.050(1.270)
0.030(0.762)
MAX
MIN.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62CT08081E-DTE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DTI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-E | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-I | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KF08802B | 1M x 8bit 2.7 ~ 3.6V Super low Power FCMOS Slow SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62CT08081E-DTE | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DTI | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-E | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KF08401C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x8|2.7~3.6V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
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