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參數資料
| 型號： | HY62CT08081E-DGI |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁數： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | HY62CT08081E-DGI |
HY62CT08081E Series
TRUTH TABLE
/CS
/WE
/OE
Mode
I/O Operation
H
X
X
Standby
High-Z
L
H
H
Output Disabled
High-Z
L
H
L
Read
Data Out
L
L
X
Write
Data In
Note
1. H=V
IH
, L=V
IL
, X=Don't Care
DC CHARACTERISTICS
Vcc = 5V
±
10%, T
A
= 0
°
C to 70
°
C (Normal) / -25
°
C to 85
°
C (Extended) / -40
°
C to 85
°
C (Industrial),
unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Test Condition
I
LI
Input Leakage Current
Vss < V
IN
< Vcc
I
LO
Output Leakage Current
Vss < V
OUT
< Vcc, /CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
or /WE = V
IL
Icc
Operating Power Supply
Current
V
IN
= V
IH
or V
IL,
I
I/O =
0mA
I
CC1
Average Operating Current
/CS = V
IL,
V
IN
= V
IH
or V
IL,
Min. Duty Cycle = 100%, I
I/O =
0mA
I
SB
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
SB1
CMOS Standby Current
/CS > Vcc - 0.2V,
(CMOS Inputs)
V
IN
> Vcc - 0.2V or
V
IN
< Vss + 0.2V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1mA
V
OH
Output High Voltage
I
OH =
-1.0mA
Note : Typical values are at Vcc =5.0V, T
A
= 25
°
C
Rev 04 / Apr. 2001
3
Min.
-1
-1
Typ.
-
-
Max.
1
1
Unit
uA
uA
/CS = V
IL
,
-
-
10
mA
-
-
50
mA
/CS= V
IH,
-
-
1
mA
0~70
°
C
-
-
10
uA
-25~85
°
C or
-40~85
°
C
-
-
20
uA
-
-
-
0.4
-
V
V
2.4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62CT08081E-DPC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DPE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DPI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DTC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DTE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY62CT08081E-DPC | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DPE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DPI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DTC | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-DTE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
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