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參數(shù)資料
| 型號： | HY628400ALLR2-I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | JT 4C 4#20 SKT WALL RECP |
| 中文描述： | 為512k x8位5.0V低功耗CMOS SRAM的速度 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | HY628400ALLR2-I |
HY628400A Series
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1(Note 1,4)
READ CYCLE 2(Note 1,2,4)
tRC
Rev 07 / Apr. 2001
5
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE and a low /CS.
2. /OE = V
IL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/OE
tOE
tCLZ
(3)
tOLZ
(3)
tCHZ
(3)
tOHZ
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY628400ALLT2 | 512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400ALLT2-55 | 512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400ALLT2-E | 512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400ALLT2-I | 512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400ALR2 | 512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY628400ALLT2 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400A-LLT2-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400ALLT2-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
| HY628400ALLT2-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628400ALLT2-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
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