參數(shù)資料
型號(hào)： HY62256ALP
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 32Kx8bit CMOS SRAM
中文描述： 32Kx8bit CMOS SRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
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代理商： HY62256ALP
DATA RETENTION CHARACTERISTIC
T
A
= 0°C to 70°C (normal) /-40°C to 85°C (E.T.)
Symbol
Parameter
Test Condition
/CS >= Vcc-0.2V
Vss <= V
IN
<=
Vcc
Vcc = 3.0V
/CS >= Vcc
-0.2V
Vss <= V
IN
<= Vcc
Min Typ Max Unit
V
DR
Vcc for Data Re! ention
2
-
-
V
I
CCDR
Data
Retention
Current
HY62256A
L
-
1
50
uA
LL
-
1
15
(2)
uA
HY62256A-1
L
-
1
50
uA
tCDR
Chip Disable to Data Retention
Time
Operating Recovery Time
See Data
Retention Timing
Diagram
0
-
-
ns
tR
Notes
1. Typical values are under the condition of T
A
= 25°C
2. 3uA max. at T
A
= 0°C to 40°C
3. tRC is read cycle time.
tRC
(3)
-
-
ns
Data Retention Timing Diagram
RELIABILITY SPEC.
TEST MODE
TEST SPEC.
ESD
HBM
MM
>= 2000V
>= 250V
<= -100mA
>= 100mA
LATCH-UP
Features
|
Pins
|
Ratings
|
Timing
|
Package
|
Ordering
3101 North First Street, San Jose, CA 95134
Phone: 408-232-8000 URL:
http://www.hea.com/
SRAM Data Sheets
|
Memory Products
|
email: DRAMSRAMmemory@hea.com
Copyright 1997 Hyundai Electronics America.
3 of 3
22/10/97 12:35
-sram/62256alt1
http://www.hea.com/hean2/sram/62256alt1.htm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY62256ALP-I 32Kx8bit CMOS SRAM
HY62256ALR1 32Kx8bit CMOS SRAM
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參數(shù)描述
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